Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > GP2M002A060HG
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
3722100GP2M002A060HG ΕικόναGlobal Power Technologies Group

GP2M002A060HG

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    GP2M002A060HG
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    SemiQ
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET N-CH 600V 2A TO220
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    GP2M002A060HG.pdf
  • Μοντέλο ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    TO-220
  • Σειρά
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4 Ohm @ 1A, 10V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    52.1W (Tc)
  • Συσκευασία
    Tape & Reel (TR)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    TO-220-3
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Through Hole
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    360pF @ 25V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    9nC @ 10V
  • FET Τύπος
    N-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    600V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    N-Channel 600V 2A (Tc) 52.1W (Tc) Through Hole TO-220
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    2A (Tc)

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

2025/02/11

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

2025/02/10

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

2024/12/4

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

2024/12/2

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

2024/11/29
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το GP2M002A060HG.
GP2L24ABJ00F

GP2L24ABJ00F

Περιγραφή: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM PCB

Κατασκευαστές: Sharp Microelectronics
Σε απόθεμα
RFQ
GP2M002A065PG

GP2M002A065PG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP2M002A060CG

GP2M002A060CG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP2M004A060FG

GP2M004A060FG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 4A TO220F

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP2M002A065FG

GP2M002A065FG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP2M004A060CG

GP2M004A060CG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP2M002A065HG

GP2M002A065HG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP2M004A060HG

GP2M004A060HG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 4A TO220

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP2L20R

GP2L20R

Περιγραφή: PHOTOINTERRUPTER REFLEC 13MM PCB

Κατασκευαστές: Sharp Microelectronics
Σε απόθεμα
RFQ
GP2M002A060PG

GP2M002A060PG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 2A

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP2M002A065CG

GP2M002A065CG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP2L24

GP2L24

Περιγραφή: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM PCB

Κατασκευαστές: Sharp Microelectronics
Σε απόθεμα
RFQ
GP2L26

GP2L26

Περιγραφή: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM SMD

Κατασκευαστές: Sharp Microelectronics
Σε απόθεμα
RFQ
GP2M004A060PG

GP2M004A060PG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 4A IPAK

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP2L24BCJ00F

GP2L24BCJ00F

Περιγραφή: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM PCB

Κατασκευαστές: Sharp Microelectronics
Σε απόθεμα
RFQ
GP2L24BJ00F

GP2L24BJ00F

Περιγραφή: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM PCB

Κατασκευαστές: Sharp Microelectronics
Σε απόθεμα
RFQ
GP2L24CJ00F

GP2L24CJ00F

Περιγραφή: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM PCB

Κατασκευαστές: Sharp Microelectronics
Σε απόθεμα
RFQ
GP2M002A060FG

GP2M002A060FG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 2A TO220F

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP2M004A065CG

GP2M004A065CG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 650V 4A DPAK

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP2L24J0000F

GP2L24J0000F

Περιγραφή: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .7MM PCB

Κατασκευαστές: Sharp Microelectronics
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΝέαΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.