Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > GP2M002A065PG
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
1151322GP2M002A065PG ΕικόναGlobal Power Technologies Group

GP2M002A065PG

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    GP2M002A065PG
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    SemiQ
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    GP2M002A065PG.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    I-PAK
  • Σειρά
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.6 Ohm @ 900mA, 10V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    52W (Tc)
  • Συσκευασία
    Tape & Reel (TR)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Through Hole
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    353pF @ 25V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    8.5nC @ 10V
  • FET Τύπος
    N-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    650V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    N-Channel 650V 1.8A (Tc) 52W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    1.8A (Tc)

Ο Anthropic λαμβάνει άλλη επένδυση 4 ...

2024/11/23

SEMI: Η αύξηση των πωλήσεων IC κατά 1...

2024/11/22

Αναφέρεται ότι η Kioxia θα λάβει έγ...

2024/11/21

Η πιο πρόσφατη οπτική πλατφόρμα ...

2024/11/20

Η βιομηχανία ανακάμπτει αργά.Ο ε...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Προμηθευτής: Ένας μεγάλος αριθμ...

2024/11/18

Η Ταϊβάν, η αξία εξόδου του ημιαγ...

2024/11/17

Η επέκταση της παραγωγής των πάν...

2024/11/15

Η Amazon αυξάνει τις προσπάθειες γι...

2024/11/14

Το καθαρό κέρδος Q3 της Pegatron ήταν ...

2024/11/13
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το GP2M002A065PG.
GP2M004A060FG

GP2M004A060FG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 4A TO220F

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP2M004A060CG

GP2M004A060CG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP2M004A060HG

GP2M004A060HG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 4A TO220

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP2M005A050FG

GP2M005A050FG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP2M004A060PG

GP2M004A060PG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 4A IPAK

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP2M002A060PG

GP2M002A060PG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 2A

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP2M004A065CG

GP2M004A065CG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 650V 4A DPAK

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP2M002A060CG

GP2M002A060CG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP2M004A065HG

GP2M004A065HG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 650V 4A TO220

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP2M002A060HG

GP2M002A060HG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 2A TO220

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP2M004A065PG

GP2M004A065PG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 650V 4A IPAK

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP2M002A065FG

GP2M002A065FG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP2L26

GP2L26

Περιγραφή: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM SMD

Κατασκευαστές: Sharp Microelectronics
Σε απόθεμα
RFQ
GP2L24CJ00F

GP2L24CJ00F

Περιγραφή: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM PCB

Κατασκευαστές: Sharp Microelectronics
Σε απόθεμα
RFQ
GP2L24J0000F

GP2L24J0000F

Περιγραφή: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .7MM PCB

Κατασκευαστές: Sharp Microelectronics
Σε απόθεμα
RFQ
GP2M002A065CG

GP2M002A065CG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP2M002A065HG

GP2M002A065HG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP2M004A065FG

GP2M004A065FG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 650V 4A TO220F

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP2M002A060FG

GP2M002A060FG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 600V 2A TO220F

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
GP2M005A050CG

GP2M005A050CG

Περιγραφή: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

Κατασκευαστές: Global Power Technologies Group
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.