Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > SI4438DY-T1-E3
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
4734580

SI4438DY-T1-E3

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    SI4438DY-T1-E3
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    SI4438DY-T1-E3.pdf
  • Μοντέλο ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.6V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Τεχνολογία
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    8-SO
  • Σειρά
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.7 mOhm @ 20A, 10V
  • Έκλυση ενέργειας (Max)
    3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
  • Συσκευασία
    Tape & Reel (TR)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Θερμοκρασία λειτουργίας
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
    4645pF @ 15V
  • Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
    126nC @ 10V
  • FET Τύπος
    N-Channel
  • FET Χαρακτηριστικό
    -
  • Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
    30V
  • Λεπτομερής περιγραφή
    N-Channel 30V 36A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
    36A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

2024/12/4

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

2024/12/2

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

2024/11/29

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

2024/11/28

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το SI4438DY-T1-E3.
SI4438-C2A-GMR

SI4438-C2A-GMR

Περιγραφή: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4447DY-T1-GE3

SI4447DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4448DY-T1-GE3

SI4448DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4447DY-T1-E3

SI4447DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4438-C2A-GM

SI4438-C2A-GM

Περιγραφή: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4447ADY-T1-GE3

SI4447ADY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4446DY-T1-E3

SI4446DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4448DY-T1-E3

SI4448DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4436DY-T1-GE3

SI4436DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4436DY-T1-E3

SI4436DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4435FDY-T1-GE3

SI4435FDY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4442DY-T1-E3

SI4442DY-T1-E3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4435DYTR

SI4435DYTR

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4438-B1C-FMR

SI4438-B1C-FMR

Περιγραφή: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4435DYPBF

SI4435DYPBF

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4438-B1C-FM

SI4438-B1C-FM

Περιγραφή: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Κατασκευαστές: Energy Micro (Silicon Labs)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4435DYTRPBF

SI4435DYTRPBF

Περιγραφή: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Κατασκευαστές: International Rectifier (Infineon Technologies)
Σε απόθεμα
RFQ
SI4442DY-T1-GE3

SI4442DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4438DY-T1-GE3

SI4438DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
SI4446DY-T1-GE3

SI4446DY-T1-GE3

Περιγραφή: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC

Κατασκευαστές: Electro-Films (EFI) / Vishay
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΝέαΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.