Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

Για επισκέπτες στο Electronica 2024
ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ - διπολική (BJT) - ενιαία, προ-προκατε > RN1105MFV,L3F
RFQs/παραγγελία (0)
Ελλάδα
Ελλάδα
5943211RN1105MFV,L3F ΕικόναToshiba Semiconductor and Storage

RN1105MFV,L3F

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com
Έρευνα Online
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
  • Αριθμός εξαρτήματος
    RN1105MFV,L3F
  • Κατασκευαστής / Μάρκα
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Ποσότητα αποθεμάτων
    Σε απόθεμα
  • Περιγραφή
    TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
  • Φύλλα δεδομένων
    RN1105MFV,L3F.pdf
  • Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max)
    50V
  • VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 5mA
  • transistor Τύπος
    NPN - Pre-Biased
  • Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
    VESM
  • Σειρά
    -
  • Αντίσταση - Βάση εκπομπού (R2)
    47 kOhms
  • Αντίσταση - Βάση (R1)
    2.2 kOhms
  • Ισχύς - Max
    150mW
  • Συσκευασία
    Tape & Reel (TR)
  • Συσκευασία / υπόθεση
    SOT-723
  • Αλλα ονόματα
    RN1105MFV(TL3,T)
    RN1105MFV(TL3T)TR
    RN1105MFV(TL3T)TR-ND
    RN1105MFV,L3F(B
    RN1105MFV,L3F(T
    RN1105MFV,L3FTR
    RN1105MFVTL3T
  • τοποθέτηση Τύπος
    Surface Mount
  • Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Λεπτομερής περιγραφή
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max)
    500nA
  • Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max)
    100mA

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Το Microchip ανακοινώνει 500 απολύσει...

2024/12/4

Quanta: Η ζήτηση AI εξακολουθεί να εί...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Η Samsung μειώνει σημαντικά τη χρήσ...

2024/12/2

Ο Vishay θα επενδύσει 51 εκατομμύρια...

2024/11/29

Η τιμολογιακή απειλή του Trump, η NVI...

2024/11/28

Η Intel θα λάβει 7,86 δισεκατομμύρια ...

2024/11/27

Η AMD εγκαινιάζει την κατασκευή τ...

2024/11/26
Αποστολή
Πληρωμή
Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το RN1105MFV,L3F.
RN1104T5LFT

RN1104T5LFT

Περιγραφή: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage
Σε απόθεμα
RFQ
RN1107,LF(CT

RN1107,LF(CT

Περιγραφή: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage
Σε απόθεμα
RFQ
RN1105,LF(CT

RN1105,LF(CT

Περιγραφή: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage
Σε απόθεμα
RFQ
RN1104MFV,L3F

RN1104MFV,L3F

Περιγραφή: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage
Σε απόθεμα
RFQ
RN1103MFV,L3F

RN1103MFV,L3F

Περιγραφή: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage
Σε απόθεμα
RFQ
RN1107ACT(TPL3)

RN1107ACT(TPL3)

Περιγραφή: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage
Σε απόθεμα
RFQ
RN1103MFV(TPL3)

RN1103MFV(TPL3)

Περιγραφή: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage
Σε απόθεμα
RFQ
RN1108(T5L,F,T)

RN1108(T5L,F,T)

Περιγραφή: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage
Σε απόθεμα
RFQ
RN1105CT(TPL3)

RN1105CT(TPL3)

Περιγραφή: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage
Σε απόθεμα
RFQ
RN1106CT(TPL3)

RN1106CT(TPL3)

Περιγραφή: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage
Σε απόθεμα
RFQ
RN1107CT(TPL3)

RN1107CT(TPL3)

Περιγραφή: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage
Σε απόθεμα
RFQ
RN1104CT(TPL3)

RN1104CT(TPL3)

Περιγραφή: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage
Σε απόθεμα
RFQ
RN1106MFV,L3F

RN1106MFV,L3F

Περιγραφή: TRANS PREBIAS NPN

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage
Σε απόθεμα
RFQ
RN1106,LF(CT

RN1106,LF(CT

Περιγραφή: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage
Σε απόθεμα
RFQ
RN1108ACT(TPL3)

RN1108ACT(TPL3)

Περιγραφή: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage
Σε απόθεμα
RFQ
RN1106MFV(TL3,T)

RN1106MFV(TL3,T)

Περιγραφή: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage
Σε απόθεμα
RFQ
RN1104,LF(CT

RN1104,LF(CT

Περιγραφή: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SSM

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage
Σε απόθεμα
RFQ
RN1106ACT(TPL3)

RN1106ACT(TPL3)

Περιγραφή: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage
Σε απόθεμα
RFQ
RN1104ACT(TPL3)

RN1104ACT(TPL3)

Περιγραφή: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage
Σε απόθεμα
RFQ
RN1105ACT(TPL3)

RN1105ACT(TPL3)

Περιγραφή: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage
Σε απόθεμα
RFQ
Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.
Ακολουθησε μας
όροι και ΠροϋποθέσειςΠολιτική παραβίασηςΖητήστε προσφοράΣχετικά με εμάςΕπικοινωνήστε μαζί μαςΧάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.