Για επισκέπτες στο Electronica 2024

Κλείστε το χρόνο σας τώρα!

Το μόνο που χρειάζεται είναι μερικά κλικ για να κάνετε κράτηση για τη θέση σας και να πάρετε το εισιτήριο περίπτερο

Hall C5 Booth 220

Προκαταβολή

*Όνομα Εταιρίας
*Ονομα
*Τίτλος

*Διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου
*Αριθμός τηλεφώνου

*Χώρα
*Παράθυρο επαφής
*Ημερομηνία εκδήλωσης

*Μήνυμα

Για επισκέπτες στο Electronica 2024

ΕΙΝΑΙ ΟΛΟΙ ΕΓΓΡΑΦΕΤΕ! Σας ευχαριστούμε που κάνατε ραντεβού!
Θα σας στείλουμε τα εισιτήρια για το ηλεκτρονικό ταχυδρομείο μόλις επιβεβαιώσουμε την κράτησή σας.

Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > ΤΡΑΝΖΙΣΤΟΡΣ - διπολική (BJT) - ενιαία, προ-προκατε > RN1107,LF(CT

RFQs/παραγγελία (0)

Ελλάδα

Ελλάδα

6500210

RN1107,LF(CT Εικόνα

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1107,LF(CT

Αίτημα παράθεσης

Συμπληρώστε όλα τα απαιτούμενα πεδία με τα στοιχεία επικοινωνίας σας.Ή στείλτε μας email:info@ftcelectronics.com

Τιμή αναφοράς (σε δολάρια ΗΠΑ)

Σε απόθεμα

1+

$0.25

10+

$0.23

25+

$0.166

100+

$0.129

250+

$0.081

500+

$0.069

1000+

$0.047

Έρευνα Online

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εξαρτήματος

RN1107,LF(CT
Κατασκευαστής / Μάρκα

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Ποσότητα αποθεμάτων

Σε απόθεμα
Περιγραφή

TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Φύλλα δεδομένων

RN1107,LF(CT.pdf
Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max)

50V
VCE Κορεσμός (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
transistor Τύπος

NPN - Pre-Biased
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή

SSM
Σειρά

-
Αντίσταση - Βάση εκπομπού (R2)

47 kOhms
Αντίσταση - Βάση (R1)

10 kOhms
Ισχύς - Max

100mW
Συσκευασία

Cut Tape (CT)
Συσκευασία / υπόθεση

SC-75, SOT-416
Αλλα ονόματα

RN1107(T5LFT)CT
RN1107(T5LFT)CT-ND
RN1107LF(CBCT
RN1107LF(CBCT-ND
RN1107LF(CTCT
τοποθέτηση Τύπος

Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL)

1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Συχνότητα - Μετάβαση

250MHz
Λεπτομερής περιγραφή

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V
Τρέχουσες - Συλλέκτης αποκοπής (Max)

500nA
Τρέχουσες - Συλλέκτης (Ic) (Max)

100mA

Σχετικές ειδήσεις
Αποστολή
Πληρωμή

Αναφέρεται ότι η Kioxia θα λάβει έγ...

Η πιο πρόσφατη οπτική πλατφόρμα ...

Η βιομηχανία ανακάμπτει αργά.Ο ε...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Προμηθευτής: Ένας μεγάλος αριθμ...

Η Ταϊβάν, η αξία εξόδου του ημιαγ...

Η επέκταση της παραγωγής των πάν...

Η Amazon αυξάνει τις προσπάθειες γι...

Το καθαρό κέρδος Q3 της Pegatron ήταν ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Η Νότια Κορέα σχεδιάζει να θεσπί...

Αποστολή

Πληρωμή

Τα παρακάτω είναι τα σχετικά προϊόντα που σχετίζονται με το RN1107,LF(CT.

RN1108(T5L,F,T)

RN1108(T5L,F,T)

Περιγραφή: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN1105MFV,L3F

Περιγραφή: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN1106MFV,L3F

Περιγραφή: TRANS PREBIAS NPN

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN1105,LF(CT

Περιγραφή: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN1105CT(TPL3)

Περιγραφή: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN1109MFV,L3F

Περιγραφή: TRANS PREBIAS NPN 50V 500NA VESM

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN1106MFV(TL3,T)

RN1106MFV(TL3,T)

Περιγραφή: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN1108CT(TPL3)

Περιγραφή: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN1106CT(TPL3)

Περιγραφή: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN1109(T5L,F,T)

RN1109(T5L,F,T)

Περιγραφή: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN1108ACT(TPL3)

RN1108ACT(TPL3)

Περιγραφή: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN1107CT(TPL3)

Περιγραφή: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN1105ACT(TPL3)

RN1105ACT(TPL3)

Περιγραφή: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN1104T5LFT

Περιγραφή: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN1109,LF(CT

Περιγραφή: TRANS PREBIAS NPN 100MW SSM

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN1109CT(TPL3)

Περιγραφή: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN1106ACT(TPL3)

RN1106ACT(TPL3)

Περιγραφή: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN1109ACT(TPL3)

RN1109ACT(TPL3)

Περιγραφή: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN1107ACT(TPL3)

RN1107ACT(TPL3)

Περιγραφή: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

RN1106,LF(CT

Περιγραφή: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

Κατασκευαστές: Toshiba Semiconductor and Storage

Σε απόθεμα

Ως ο μόνος διανομέας της δημόσιας ανοιχτής αγοράς, διαθέτουμε έναν μοναδικό συνδυασμό παγκόσμιας πρόσβασης, εμπειρογνωμοσύνης στον τομέα της κατασκευής και αποδεδειγμένη ποιότητα.Με αυτό, μπορούμε να δημιουργήσουμε προσαρμοσμένες λύσεις αλυσίδας εφοδιασμού από άκρο σε άκρο για την προμήθεια των ηλεκτρονικών στοιχείων και τη διαχείριση αποθεμάτων.

Ακολουθησε μας

όροι και Προϋποθέσεις Πολιτική παραβίασης Ζητήστε προσφορά Σχετικά με εμάς Επικοινωνήστε μαζί μας Χάρτης τοποθεσίας

Επιλέξτε γλώσσα

Κάντε κλικ στο χώρο για έξοδο

Τρέχουσα γλώσσα

Επιλέξτε τη χώρα ή την περιοχή σας.